這篇文章概括地介紹了五十年來離子鍍膜技術的展開概略,介紹了離子鍍膜技術的含義、原理、特征、展開和運用規劃。從D.M.Mattox 發明離子鍍膜技術以來的五十年中,離子鍍膜技術習氣高端商品加工和高新技術展開的需要,得到了飛速展開。各種鼓舞氣體放電進程技術,前進等離子體密度的方法層出不窮,滿意各種需要的新的薄膜材料在各個運用領域得到了廣泛的運用。對國防作業、宇航作業、高新技術商品和美化人民生活做出了突出貢獻。我們等候離子鍍膜技術繼往開來,在新的五十年中再放榮耀。
材料科學是國家展開的三大支柱之一,薄膜材料更是我國前沿科學和高新技術商品的重要基石。制備薄膜材料的技術跟著高新技術的展開,運用規劃越來越寬廣。開端制備薄膜技術有兩大類:膜層粒子來源于固態物質源的真空蒸發鍍膜技術和來源于氣態物質源的化學氣相堆積技術。真空蒸發鍍首要運用于光學、半導體芯片的布線等領域;化學氣相堆積首要運用在硬質合金刀頭上堆積氮化鈦硬質涂層和半導體器件中的單晶硅、多晶硅薄膜、外延生長GaAs 半導體材料。這兩類技術的特征都是運用熱源來加熱固態膜料和鼓舞氣態物質源分解、化合。蒸發溫度和化學氣相堆積溫度在1000~2000 ℃規劃。制備薄膜的能量來源于熱源。
高新技術的展開需要各種具有格外功用的薄膜。例如:太陽能光熱改換薄膜、光電改換薄膜、超導薄膜、透明導電薄膜、光磁存儲薄膜、光電存儲薄膜、鐵電存儲薄膜以及各種光敏、氣敏、味敏傳感薄膜等。只靠原有技術已經無法制備出這些薄膜,所以展開出把各種氣體放電技術引進薄膜制備進程的離子鍍膜技術,把膜層粒子離子化,然后前進膜層粒子的全體能量。這些技術包括蒸發型離子鍍、磁控濺射離子鍍和等離子體化學氣相堆積,總稱離子鍍膜技術。近些年來這一技術展開很快。
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